Память оперативная ddr4

Основные характеристики- Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 1866, 2000, 2133, 2400 МГц - Эффективная тактовая частота: 2400 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: DIMM - Пропускная способность: 19200 Мб/с - Режим работы памяти: Dual Mode Модуль- Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги- CAS Latency (CL): CL16 - RAS to CAS Delay (tRCD): tRCD16 - Row Precharge Delay (tRP): tRP16 - Activate to Precharge Delay (tRAS): tRAS39 Электропитание- Напряжение питания: 1.2 В - Низкое энергопотребление: да Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Количество контактов: 288-pin Цвет и материал- Цвет памяти: черный Размеры и вес- Высота: 3.13 см

Основные характеристики- Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR4 - Эффективная тактовая частота: 2666 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: DIMM - Пропускная способность: 21300 Мб/с Модуль- Количество чипов модуля: 8 Тайминги- CAS Latency (CL): CL19 - RAS to CAS Delay (tRCD): tRCD19 - Row Precharge Delay (tRP): tRP19 - Activate to Precharge Delay (tRAS): tRAS43 Электропитание- Напряжение питания: 1.2 В Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Количество контактов: 288-pin Цвет и материал- Цвет памяти: черный

Основные характеристики- Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 1600, 1866, 2133, 2400, 2666 МГц - Эффективная тактовая частота: 2666 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: U-DIMM - Пропускная способность: 21300 Мб/с Модуль- Конструкция модуля памяти: односторонняя - Количество чипов модуля: 4 Тайминги- CAS Latency (CL): CL19 - RAS to CAS Delay (tRCD): tRCD19 - Row Precharge Delay (tRP): tRP19 Электропитание- Напряжение питания: 1.2 В - Низкое энергопотребление: да Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Поддержка XMP: да - Количество контактов: 288-pin Цвет и материал- Цвет памяти: зеленый Размеры и вес- Высота: 4.3 см

Основные характеристики- Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 1600, 1866, 2133, 2400, 2666 МГц - Эффективная тактовая частота: 2666 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: DIMM - Пропускная способность: 21300 Мб/с Модуль- Конструкция модуля памяти: односторонняя - Количество чипов модуля: 8 Тайминги- CAS Latency (CL): CL19 - RAS to CAS Delay (tRCD): tRCD19 - Row Precharge Delay (tRP): tRP19 Электропитание- Напряжение питания: 1.2 В Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Количество контактов: 288-pin Цвет и материал- Цвет памяти: зеленый

Основные характеристики- Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 1600, 1866, 2133, 2400 МГц - Эффективная тактовая частота: 2400 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: DIMM - Пропускная способность: 19200 Мб/с Модуль- Количество чипов модуля: 4 Тайминги- CAS Latency (CL): CL17 - RAS to CAS Delay (tRCD): tRCD17 - Row Precharge Delay (tRP): tRP17 - Activate to Precharge Delay (tRAS): tRAS40 Температура- Нормальная операционная температура (Tcase): 0-85 ° Электропитание- Напряжение питания: 1.2 В Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Поддержка XMP: да - Количество контактов: 288-pin Цвет и материал- Цвет памяти: зеленый Размеры и вес- Высота: 4.3 см

4 ГБ, DDR4, 1R, 2400 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 17-17-17, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 1R, 2666 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 19-19-19, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 1R, 2666 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 19-19-19-32, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC , 1.2 В

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: M471A5244CB0-CTD

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2400 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: KVR24S17S6/4

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность.

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: KVR26S19S6/4

Основные характеристики- Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 1866, 2000, 2133, 2400 МГц - Эффективная тактовая частота: 2400 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: DIMM - Пропускная способность: 19200 Мб/с - Режим работы памяти: Dual Mode Модуль- Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 4 Тайминги- CAS Latency (CL): CL17 - RAS to CAS Delay (tRCD): tRCD17 - Row Precharge Delay (tRP): tRP17 - Activate to Precharge Delay (tRAS): tRAS32 Температура- Нормальная операционная температура (Tcase): 0-85 ° Электропитание- Напряжение питания: 1.2 В - Низкое энергопотребление: да Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Количество контактов: 288-pin - Тип поставки: Ret Цвет и материал- Цвет памяти: зеленый Размеры и вес- Высота: 3.125 см - Ширина: 13.35 см

4 ГБ, DDR4, 2R, 2400 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 17-17-17-40, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 17-17-17-40, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 17-17-17, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 1R, 2400 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 17-17-17-32, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 2400 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 16-16-16-39, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 1R, 2400 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 17-17-17, 1.2 В

В постоянно меняющимся мире технологий любой компонент, появившийся более пяти лет назад, обычно требует обновления. За семилетний срок, который продолжает расти, память DDR3 как раз приобрела такой статус: как только она не используется на ноутбуках. С момента появления технологии памяти DDR3 в 2007 году мощность процессоров выросла вдвое, SSD-накопители коренным образом изменили свою пропускную способность, а графические карты значительно увеличили скорость передачи кадров, а и единственным ограничивающим фактором при этом осталась память. Модули SODIMM DDR4 от Crucial помогут устранить ограничения памяти DDR3 и открыть новый стандарт производительности.

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: BLS4G4D26BFSE

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность.

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность.

Модуль памяти стандартного профиля планки для персонального компьютера. Используется самостоятельно или как дополнение к существующему объему памяти с целью увеличить быстродействие системы.

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2400 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: KVR24N17S6/4

4 ГБ, DDR4, 2400 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 17-17-17, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 2400 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 17-17-17, 1.35 В

4 ГБ, DDR4, 2133 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 15-15-15, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 19-19-19, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 2400 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 17-17-17, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 2666 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 19-19-19, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 19-19-19, 1.2 В

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: FL2666D4S19S-4G

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2133 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: FL2133D4U15S-4G

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: KVR26N19S6/4

4 ГБ, DDR4, 2666 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 19-19-19, 1.2 В

Память DDR4 Non-ECC от Patriot Memory предоставляет качество, надежность и скорость передачи данных, необходимые для современных компьютеров. Эти планки памяти объемом 4GB произведены для работы при скорости PC4-19200 (2400MHz) и частоте Класс-16 для лучшего отклика системы при использовании приложений.

Используя специальные компоненты при сборке, Patriot Memory заверяет, что каждый модуль соответствует стандартам индустрии и позволяет произвести апгрейд вашего компьютера без каких-либо сложностей. Компания Patriot Memory предоставляет пожизненную гарантию на изделия Signature Line DDR4.

Модули памяти Patriot - отличная опция для построения компьютерной системы или проведения апгрейда для увеличения скорости работы.