Память оперативная kingston ddr4

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2400 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: KVR24S17S6/4

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: KVR26S19S6/4

Основные характеристики- Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 1866, 2000, 2133, 2400 МГц - Эффективная тактовая частота: 2400 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: DIMM - Пропускная способность: 19200 Мб/с - Режим работы памяти: Dual Mode Модуль- Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 4 Тайминги- CAS Latency (CL): CL17 - RAS to CAS Delay (tRCD): tRCD17 - Row Precharge Delay (tRP): tRP17 - Activate to Precharge Delay (tRAS): tRAS32 Температура- Нормальная операционная температура (Tcase): 0-85 ° Электропитание- Напряжение питания: 1.2 В - Низкое энергопотребление: да Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Количество контактов: 288-pin - Тип поставки: Ret Цвет и материал- Цвет памяти: зеленый Размеры и вес- Высота: 3.125 см - Ширина: 13.35 см

4 ГБ, DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 17-17-17-40, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 1R, 2400 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 17-17-17, 1.2 В

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2400 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: KVR24N17S6/4

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: KVR26N19S6/4

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2400 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: HX424S14IB/4

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность.

Основные характеристики- Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 1600, 1866, 2133, 2400, 2666 МГц - Эффективная тактовая частота: 2666 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: DIMM - Пропускная способность: 21300 Мб/с - Игровая память: да Модуль- Конструкция модуля памяти: односторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги- CAS Latency (CL): CL15 - RAS to CAS Delay (tRCD): tRCD17 - Row Precharge Delay (tRP): tRP17 - Activate to Precharge Delay (tRAS): tRAS29.25 Охлаждение- Радиатор: да Электропитание- Напряжение питания: 1.

2 В Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Поддержка XMP: да - Количество контактов: 288-pin - Тип поставки: Ret Цвет и материал- Цвет памяти: черный - Цвет радиатора: черный Размеры и вес- Высота: 3.125 см - Ширина: 13.

335 см - Толщина: 0.72 см .

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: HX426C16FB3/4

4 ГБ, DDR4, 1R, 2400 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 17-17-17, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 1R, 2400 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 17-17-17, 1.2 В

Оперативная память SODIMM Kingston HyperX Impact [HX424S14IB/4] откроет для вас дополнительные функциональные и аппаратные возможности, необходимые для быстродействия игрового компьютера при запуске требовательных к ресурсам системы видеоигр. Комплект поставки предусматривает одну плашку ОЗУ с объемом оперативной памяти, равняющимся 4 ГБ.

Модель в автоматическом режиме разгоняется до заявленной частоты, соответствующей 2400 МГц, без необходимости системных настроек в BIOS. Модуль поддерживает платформы, использующие технологии процессоров Intel.

Высокая эффективность работы оперативной памяти SODIMM Kingston HyperX Impact [HX424S14IB/4] обеспечена таймингами 14-14-14-29. Характерной чертой представленной модели является низкое напряжение, равняющееся 1.

2 В. В процессе своего функционирования модуль оперативной памяти испускает минимум шума.

Конструкция модели предусматривает 16 чипов, установленных с обоих сторон плашки памяти. Пропускная способность представленного комплектующего элемента компьютера соответствует PC19200.

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 3200 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.35 в/ Код: HX432C16FB3/4

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность.

Модуль памяти стандартного профиля планки для ноутбуков. Соответствие стандартным нормам JEDEC, широкая номенклатура поддерживаемых ноутбуков.

Объем памяти: 4 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.

Напряжение питания: 1.2 В.

Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: низкопрофильный радиатор ассиметричной формы.

Частота памяти: 2400 МГц. Эффективная пропускная способность: 19200 МБ/с.

Схема таймингов.

.

Объем памяти: 4 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.

Напряжение питания: 1.2 В.

Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: низкопрофильный радиатор ассиметричной формы.

Частота памяти: 2666 МГц. Эффективная пропускная способность: 21300 МБ/с.

Схема таймингов.

.

Объем памяти: 4 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.

Напряжение питания: 1.35 В.

Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: низкопрофильный радиатор ассиметричной формы.

Частота памяти: 3000 МГц. Эффективная пропускная способность: 24000 МБ/с.

Схема таймингов.

.

Объем памяти: 4 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.

Напряжение питания: 1.35 В.

Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: низкопрофильный радиатор ассиметричной формы.

Частота памяти: 3200 МГц. Эффективная пропускная способность: 25600 МБ/с.

Схема таймингов.

.

8 ГБ, DDR4, 1R, 2666 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 19-19-19, 1.2 В

Оперативная память Kingston ValueRAM [KVR26N19S8/8] - один из основных элементов компьютера, который способен обеспечить его операционной системе необходимое быстродействие для работы в многозадачном режиме. Представленная модель отличается надежностью и качественной сборкой, обеспеченной использованием передовых технологий и материалов при ее изготовлении.

Пользователю гарантирован увеличенный отклик системы и существенное повышение производительности при запуске ресурсоемких программ. Страницы на экране вашего монитора будут загружаться значительно быстрее, запуск различных приложений - существенно проще.

Работа за компьютером превратится в настоящее удовольствие. Комплект поставки оперативной памяти Kingston ValueRAM [KVR26N19S8/8] состоит из одного модуля с объемом 8 ГБ, представленного в типоразмере DIMM DDR4.

Быстродействие устройства обеспечено хорошей тактовой частотой, равняющейся 2666 МГц. Пропускная способность модуля оперативной памяти соответствует PC21300.

Поддерживается работа на частотах 1600 МГц, 1866 МГц, 2133 МГц и 2400 МГц.

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 8 ГБ и 260-контактным модулем SODIMM.?Предельная частота работы устройства достигает 2666 МГц, а пропускная способность – 21300 Мб/с.

8 ГБ, DDR4, 1R, 2400 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 17-17-17-32, 1.2 В

Объем: 8 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: KVR26N19S8L/8

Объем: 8 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2400 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: KVR24S17S8/8

HyperX® FURY DDR4 поможет повысить производительность во время игр, редактирования видео и визуализации, обеспечивая частоту до 3733 МГц. Эти экономичные модули имеют рабочую частоту 2400–3733 МГц, латентность CL15–19 и емкость одиночных модулей 4–32 ГБ и комплектов 16–128 ГБ.

Они обеспечивают автоматический разгон памяти Plug N Play1 на частоте 2400 и 2666 МГц и совместимы и с профилями Intel XMP, и с профилями AMD Ryzen. Модули HyperX FURY DDR4 не нагреваются за счет использования стильного низкопрофильного теплоотвода.

Эти модули, прошедшие полную проверку на рабочей частоте и обеспечиваемые гарантией на весь срок службы, станут легким, удобным обновлением вашей системы на основе процессоров Intel или AMD.

Объем: 8 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 3200 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Код: KVR32N22S8/8

8 ГБ, DDR4, 2400 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 14-14-14, 1.2 В

Основные характеристики- Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 8 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 1600, 1866, 2133, 2400, 2666 МГц - Эффективная тактовая частота: 2666 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: DIMM - Пропускная способность: 21300 Мб/с - Игровая память: да - Возможность разгона: да Модуль- Конструкция модуля памяти: односторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги- CAS Latency (CL): CL16 - RAS to CAS Delay (tRCD): tRCD18 - Row Precharge Delay (tRP): tRP18 - Activate to Precharge Delay (tRAS): tRAS29.25 Температура- Нормальная операционная температура (Tcase): 0-85 ° Охлаждение- Радиатор: да Электропитание- Напряжение питания: 1.

2 В Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Поддержка XMP: да - Количество контактов: 288-pin Цвет и материал- Цвет памяти: черный - Цвет радиатора: черный Размеры и вес- Высота: 3.41 см - Ширина: 13.

335 см - Толщина: 0.72 см .

Модуль оперативной памяти типа SO-DIMM DDR4 идеально подходит для игрового ноутбука и высокопроизводительной мини-системы. Предоставляет качество работы, надежность и производительность. Благодаря низкому напряжению, снижается потребление энергии, что обеспечивает снижение нагрева и бесшумную работу ноутбука.

Универсальный и надежный модуль памяти от компании Kingston стандартного профиля планки. Нормальная операционная температура: 75 °C.

288-контактный модуль DIMM. Серия для разгона (overclocking).

Поддержка XMP.

8 ГБ, DDR4, 1R, 2400 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 12-14-14-32, 1.35 В

8 ГБ, DDR4, 1R, 2400 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 17-17-17-38, 1.2 В

8 ГБ, DDR4, 1R, 2400 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 17-17-17-38, 1.2 В

8 ГБ, DDR4, 1R, 2666 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 19-19-19, 1.2 В

8 ГБ, DDR4, 1R, 2666 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 17-17-17, 1.2 В

Модуль памяти средней емкости для ноутбуков. Соответствие стандартным нормам JEDEC, широкая номенклатура поддерживаемых ноутбуков.

Объем: 8 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.35 в/ Код: HX426C13PB3/8

Основные характеристики- Назначение: стационарные (настольные) ПК - Общий объем модулей памяти: 8 Гб - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 1600, 1866, 2133, 2400, 2666 МГц - Эффективная тактовая частота: 2666 МГц - Количество слотов памяти: 2 - Форм фактор поддерживаемой памяти: DIMM - Пропускная способность: 21300 Мб/с - Игровая память: да - Возможность разгона: да Модуль- Конструкция модуля памяти: односторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги- CAS Latency (CL): CL16 - RAS to CAS Delay (tRCD): tRCD18 - Row Precharge Delay (tRP): tRP18 - Activate to Precharge Delay (tRAS): tRAS29.25 Температура- Нормальная операционная температура (Tcase): 0-85 ° Охлаждение- Радиатор: да Электропитание- Напряжение питания: 1.

2 В Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Поддержка XMP: да - Количество контактов: 288-pin - Тип поставки: Kit Цвет и материал- Цвет памяти: черный - Цвет радиатора: черный Размеры и вес- Высота: 3.41 см - Ширина: 13.

335 см - Толщина: 0.72 см .