X
Оперативная память Kingston ValueRAM DDR3 1333МГц 2GB, KVR13LS9S6/2
Фото
Характеристики
Назначение памяти Другое или отсутствует;
Тип памяти DDR3L;
Частота памяти 1333;
TCL (задержка сигнала CAS#) 9 тактов;
TRCD (задержка между RAS# и CAS#) 9 тактов;
TRP (время подзарядки строки) 9 тактов;
TRAS (время активности строки) 24 такта;
Ёмкость одного модуля 2;
Количество в комплекте 1;
Форм-фактор SO-DIMM 204-pin;
Многоканальность Другое или отсутствует;
Контроль ошибок Non-ECC;
Буферизация Unbuffered;
Напряжение питания 1.35;
Высота модуля памяти 30.0;
Warning Тип комплектации указан неверно или не указан;
Описание
Память DDR3L 2Gb 1333MHz Kingston KVR13LS9S6/2 RTL PC3-10600 CL9 SO-DIMM 204-pin 1.35В
Оперативная память Kingston ValueRAM DDR3 1333МГц 2GB, KVR13LS9S6/2
Память DDR3L 2Gb 1333MHz Kingston KVR13LS9S6/2 RTL PC3-10600 CL9 SO-DIMM 204-pin 1.35В
Store.softline.ru 1 198 ₽
X
Память DDR3 Kingston 2Gb 1333MHz (KVR13N9S6/2)
Фото
Характеристики
CAS Latency (CL) 9;
Напряжение питания 1.5 В;
Низкопрофильная (Low Profile) Нет;
Объем одного модуля 2 Гб;
Поддержка ECC Нет;
Пропускная способность 10600 Мб/с;
Тактовая частота 1333 МГц;
Тип памяти DDR3;
Форм-фактор Для компьютеров (DIMM);
Описание
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Память DDR3 Kingston 2Gb 1333MHz (KVR13N9S6/2)
1 модуль памяти DDR3, объем модуля 2 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, CAS Latency (CL): 9
Kotofoto.ru 1 210 ₽
X
Память DDR3 2Gb Kingston 1600MHz CL11 1.5В (KVR16N11S6/2)
Фото
Характеристики
CAS Latency (CL) 11;
Напряжение питания 1.5 В;
Объем одного модуля 2 Гб;
Пропускная способность 12800 Мб/с;
Тактовая частота 1600 МГц;
Тип памяти DDR3;
Форм-фактор Для компьютеров (DIMM);
X
Оперативная память Kingston KVR13N9S6/2 DIMM 2GB DDR3 1333MHz DIMM 240-pin/PC-10600/CL9
Фото
Оперативная память Kingston KVR13N9S6/2 DIMM 2GB DDR3 1333MHz DIMM 240-pin/PC-10600/CL9
Oldi.ru 1 320 ₽
X
Память SO-DIMM Kingston DDR3 2Gb 1600MHz (KVR16S11S6/2)
Фото
Характеристики
CAS Latency (CL) 11;
Напряжение питания 1.5 В;
Низкопрофильная (Low Profile) Нет;
Объем одного модуля 2 Гб;
Поддержка ECC Нет;
Пропускная способность 12800 Мб/с;
Тактовая частота 1600 МГц;
Тип памяти DDR3;
Форм-фактор Для ноутбуков (SO-DIMM);