Оперативная память crucial

2 ГБ, DDR3L, 1600 МГц, DIMM 240-pin, non-ECC Unbuffered, 11-11-11-30, 1.35 В

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность.

4 ГБ, DDR4, 1R, 2400 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 17-17-17, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 1R, 2666 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 19-19-19, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 2400 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 16-16-16-39, 1.2 В

В постоянно меняющимся мире технологий любой компонент, появившийся более пяти лет назад, обычно требует обновления. За семилетний срок, который продолжает расти, память DDR3 как раз приобрела такой статус: как только она не используется на ноутбуках. С момента появления технологии памяти DDR3 в 2007 году мощность процессоров выросла вдвое, SSD-накопители коренным образом изменили свою пропускную способность, а графические карты значительно увеличили скорость передачи кадров, а и единственным ограничивающим фактором при этом осталась память. Модули SODIMM DDR4 от Crucial помогут устранить ограничения памяти DDR3 и открыть новый стандарт производительности.

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: BLS4G4D26BFSE

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность.

4 ГБ, DDR4, 2400 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 17-17-17, 1.2 В

Основные характеристики- Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR3 - Частота памяти: 800, 1066, 1333, 1600 МГц - Эффективная тактовая частота: 1600 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: U-DIMM - Пропускная способность: 12800 Мб/с Модуль- Конструкция модуля памяти: односторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги- CAS Latency (CL): CL11 - RAS to CAS Delay (tRCD): tRCD11 - Row Precharge Delay (tRP): tRP11 - Activate to Precharge Delay (tRAS): tRAS28 Электропитание- Напряжение питания: 1.35 В Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Количество контактов: 240-pin Цвет и материал- Цвет памяти: зеленый Размеры и вес- Высота: 3 см

Память DDR3 4Gb 1600MHz Crucial CT51264BD160BJ RTL PC3-12800 CL11 DIMM 240-pin 1.35В

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность.

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность.

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 4 ГБ и 260 -контактным модулем SODIMM.?Предельная частота работы устройства достигает 2666 МГц, а пропускная способность – 21300 Мб/с.

4-гигабайтная оперативная память Crucial [CT51264BD160B], относящаяся к типу DDR3L, подходит для установки в системные блоки универсального назначения. Модуль памяти может работать как в единственном числе, так и в комбинации с другими модулями.

Преимуществом устройства является сниженное напряжение питания: оно равно 1.35 В.

За счет этой особенности достигается пониженное энергопотребление. Память Crucial [CT51264BD160B] использует тактовую частоту 1600 МГц.

Модель также может работать на частотах 800, 1066 и 1333 МГц. Пропускная способность устройства составляет 12800 МБ/с.

Память характеризуется таймингами 11-11-11-28. Высота модуля памяти составляет 32 мм.

Производителем использована двусторонняя установка чипов. С одной из сторон на модуль нанесена наклейка, содержащая информацию о технических характеристиках устройства.

Память поставляется в компактной упаковке из прозрачного пластика, надежно защищающей устройство от мелких механических воздействий.

4 ГБ, DDR3, 1R, 1600 МГц, SO-DIMM 204-pin, non-ECC Unbuffered, 1.35 В

4 ГБ, DDR3, 1600 МГц, SO-DIMM 204-pin, 11-11-11-30, 1.35 В

4 ГБ, DDR3L, 1600 МГц, DIMM 240-pin, non-ECC Unbuffered, 11-11-11, 1.35 В

8 ГБ, DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 19-19-19-40, 1.2 В

Объем: 8 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: CT8G4DFS8266

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность.

Модуль памяти предназначен для использования в домашних или офисных персональных компьютерах.

8 ГБ, DDR4, 1R, 2666 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 19-19-19, 1.2 В

Основные характеристики- Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 8 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 1866, 2000, 2133, 2400, 2666 МГц - Эффективная тактовая частота: 2666 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: U-DIMM - Пропускная способность: 21300 Мб/с Модуль- Конструкция модуля памяти: односторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги- CAS Latency (CL): CL19 - RAS to CAS Delay (tRCD): tRCD19 - Row Precharge Delay (tRP): tRP19 - Activate to Precharge Delay (tRAS): tRAS40 Температура- Нормальная операционная температура (Tcase): 0-85 ° - Расширенная операционная температура (Tcase): 95 ° Электропитание- Напряжение питания: 1.2 В Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Количество контактов: 288-pin Цвет и материал- Цвет памяти: зеленый Размеры и вес- Высота: 3.125 см - Ширина: 13.335 см

8 ГБ, DDR4, 2400 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 17-17-17-38, 1.2 В

8 ГБ, DDR4, 1R, 2400 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 17-17-17-40, 1.2 В

Объем: 8 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2400 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: BLS8G4D240FSBK

Основные характеристики- Назначение: ноутбук - Объем модуля памяти: 8 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 2400 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: SO-DIMM - Пропускная способность: 19200 Мб/с Модуль- Конструкция модуля памяти: двусторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги- CAS Latency (CL): CL17 - RAS to CAS Delay (tRCD): 17 - Row Precharge Delay (tRP): 17 Электропитание- Напряжение питания: 1.2 В - Низкое энергопотребление: да Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Тип поставки: OEM Цвет и материал- Цвет памяти: зеленый

Универсальный и надежный модуль памяти от компании Crucial стандартного профиля планки. Нормальная операционная температура (Tcase): 85 °C. Обладает 288-контактным модулем DIMM.

2 × 4 ГБ, DDR4, 2666 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 16-18-18, 1.2 В

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность.

Память DDR3 8Gb 1600MHz Crucial CT102464BD160B RTL PC3-12800 CL11 DIMM 240-pin 1.35В

4 ГБ, DDR4, 1R, 2666 МГц, DIMM 288-pin, ECC Registered, 19-19-19, 1.2 В

8 ГБ, DDR3, 1R, 1600 МГц, SO-DIMM 204-pin, non-ECC Unbuffered, 11-11-11, 1.35 В

Объем: 16 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2400 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: CT16G4DFD824A

8 ГБ, DDR4, 1R, 2666 МГц, DIMM 288-pin, ECC Registered, 19-19-19, 1.2 В

8 ГБ, DDR4, 2R, 2666 МГц, DIMM 288-pin, ECC Unbuffered, 19-19-19, 1.2 В