Память оперативная kingston

Основные характеристики- Назначение: ноутбук - Объем модуля памяти: 2 Гб - Тип памяти: DDR3 - Частота памяти: 1600 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: SO-DIMM - Пропускная способность: 12800 Мб/с Модуль- Конструкция модуля памяти: двусторонняя - Количество чипов модуля: 8 Тайминги- CAS Latency (CL): CL11 - RAS to CAS Delay (tRCD): 11 - Row Precharge Delay (tRP): 11 - Activate to Precharge Delay (tRAS): 35 Температура- Расширенная операционная температура (Tcase): 85 ° Электропитание- Напряжение питания: 1.5 В Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Тип поставки: OEM Цвет и материал- Цвет памяти: зеленый Размеры и вес- Высота: 3 см - Ширина: 6.76 см

2 ГБ, DDR3, 1R, 1600 МГц, SO-DIMM 204-pin, non-ECC Unbuffered, 11-11-11, 1.5 В

2 ГБ, DDR3, 1R, 1600 МГц, DIMM 240-pin, non-ECC Unbuffered, 11-11-11, 1.5 В

2 ГБ, DDR3L, 1R, 1600 МГц, SO-DIMM 204-pin, non-ECC Unbuffered, 11-11-11-30, 1.35 В

2 ГБ, DDR3, 1333 МГц, SO-DIMM 204-pin, non-ECC Unbuffered, 9-9-9-24, 1.5 В

Память DDR3L 2Gb 1333MHz Kingston KVR13LS9S6/2 RTL PC3-10600 CL9 SO-DIMM 204-pin 1.35В

2 ГБ, DDR3, 1R, 1333 МГц, DIMM 240-pin, 9-9-9, 1.5 В

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2400 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: KVR24S17S6/4

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: KVR26S19S6/4

Основные характеристики- Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 1866, 2000, 2133, 2400 МГц - Эффективная тактовая частота: 2400 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: DIMM - Пропускная способность: 19200 Мб/с - Режим работы памяти: Dual Mode Модуль- Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 4 Тайминги- CAS Latency (CL): CL17 - RAS to CAS Delay (tRCD): tRCD17 - Row Precharge Delay (tRP): tRP17 - Activate to Precharge Delay (tRAS): tRAS32 Температура- Нормальная операционная температура (Tcase): 0-85 ° Электропитание- Напряжение питания: 1.2 В - Низкое энергопотребление: да Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Количество контактов: 288-pin - Тип поставки: Ret Цвет и материал- Цвет памяти: зеленый Размеры и вес- Высота: 3.125 см - Ширина: 13.35 см

4 ГБ, DDR4, 2400 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 17-17-17-40, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 1R, 2400 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 17-17-17, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 1R, 2666 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 19-19-19, 1.2 В

Основные характеристики- Назначение: ноутбук - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 2400 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: SO-DIMM - Пропускная способность: 19200 Мб/с Модуль- Конструкция модуля памяти: двусторонняя - Количество чипов модуля: 8 Тайминги- CAS Latency (CL): CL17 - RAS to CAS Delay (tRCD): 17 - Row Precharge Delay (tRP): 17 - Activate to Precharge Delay (tRAS): 32 Температура- Расширенная операционная температура (Tcase): 85 ° Электропитание- Напряжение питания: 1.2 В - Низкое энергопотребление: да Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Тип поставки: OEM Цвет и материал- Цвет памяти: зеленый Размеры и вес- Высота: 3 см - Ширина: 6.96 см - Толщина: 1.2 см

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2400 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: KVR24N17S6/4

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: KVR26N19S6/4

Основные характеристики- Назначение: ноутбук - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 2400 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: SO-DIMM - Пропускная способность: 19200 Мб/с - Игровая память: да Модуль- Конструкция модуля памяти: двусторонняя - Количество чипов модуля: 16 Тайминги- CAS Latency (CL): CL14 - RAS to CAS Delay (tRCD): 14 - Row Precharge Delay (tRP): 14 - Activate to Precharge Delay (tRAS): 29.125 Температура- Расширенная операционная температура (Tcase): 85 ° Охлаждение- Радиатор: да Электропитание- Напряжение питания: 1.2 В - Низкое энергопотребление: да Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Поддержка XMP: да - Тип поставки: OEM Цвет и материал- Цвет памяти: черный Размеры и вес- Высота: 3 см - Ширина: 6.96 см

4 ГБ, DDR4, 2400 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 14-14-14-34, 1.2 В

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2400 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: HX424S14IB/4

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность.

Основные характеристики- Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR4 - Частота памяти: 1600, 1866, 2133, 2400, 2666 МГц - Эффективная тактовая частота: 2666 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: DIMM - Пропускная способность: 21300 Мб/с - Игровая память: да Модуль- Конструкция модуля памяти: односторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги- CAS Latency (CL): CL15 - RAS to CAS Delay (tRCD): tRCD17 - Row Precharge Delay (tRP): tRP17 - Activate to Precharge Delay (tRAS): tRAS29.25 Охлаждение- Радиатор: да Электропитание- Напряжение питания: 1.

2 В Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Поддержка XMP: да - Количество контактов: 288-pin - Тип поставки: Ret Цвет и материал- Цвет памяти: черный - Цвет радиатора: черный Размеры и вес- Высота: 3.125 см - Ширина: 13.

335 см - Толщина: 0.72 см .

4 ГБ, DDR3, 1600 МГц, DIMM 240-pin, 11-11-11-30, 1.5 В

4 ГБ, DDR3, 1R, 1600 МГц, DIMM 240-pin, non-ECC Unbuffered, 11-11-11-30, 1.35 В

Основные характеристики- Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR3 - Частота памяти: 1600 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: DIMM - Пропускная способность: 12800 Мб/с Модуль- Конструкция модуля памяти: двусторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги- CAS Latency (CL): CL11 - RAS to CAS Delay (tRCD): 11 - Row Precharge Delay (tRP): 11 - Activate to Precharge Delay (tRAS): 35 Температура- Расширенная операционная температура (Tcase): 85 ° Электропитание- Напряжение питания: 1.5 В Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Низкопрофильная память (Low Profile): да - Тип поставки: OEM Цвет и материал- Цвет памяти: зеленый Размеры и вес- Высота: 1.875 см - Ширина: 13.335 см

Основные характеристики- Назначение: стационарные (настольные) ПК - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR3L - Частота памяти: 1600 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: DIMM - Пропускная способность: 12800 Мб/с Модуль- Конструкция модуля памяти: двусторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги- CAS Latency (CL): CL11 - RAS to CAS Delay (tRCD): 11 - Row Precharge Delay (tRP): 11 - Activate to Precharge Delay (tRAS): 35 Температура- Расширенная операционная температура (Tcase): 85 ° Электропитание- Напряжение питания: 1.35 В - Низкое энергопотребление: да Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Низкопрофильная память (Low Profile): да - Тип поставки: OEM Цвет и материал- Цвет памяти: зеленый Размеры и вес- Высота: 1.875 см - Ширина: 13.335 см

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-4/ Частота: 2666 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.2 в/ Код: HX426C16FB3/4

4 ГБ, DDR3, 1333 МГц, DIMM 240-pin, 9-9-9, 1.5 В

4 ГБ, DDR3, 1600 МГц, SO-DIMM 204-pin, non-ECC , 11-11-11-30, 1.5 В

4 ГБ, DDR3L, 1R, 1600 МГц, SO-DIMM 204-pin, non-ECC Unbuffered, 11-11-11-30, 1.35 В

4 ГБ, DDR3, 1333 МГц, SO-DIMM 204-pin, non-ECC , 9-9-9-24, 1.5 В

4 ГБ, DDR3, 1333 МГц, DIMM 240-pin, non-ECC Unbuffered, 9-9-9-24, 1.5 В

4 ГБ, DDR3, 1600 МГц, DIMM 240-pin, non-ECC Unbuffered, 11-11-11-30, 1.5 В

Основные характеристики- Назначение: ноутбук - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR3 - Частота памяти: 1600 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: SO-DIMM - Пропускная способность: 12800 Мб/с Модуль- Конструкция модуля памяти: двусторонняя - Ранг модуля памяти: Single - Количество чипов модуля: 8 Тайминги- CAS Latency (CL): CL11 - RAS to CAS Delay (tRCD): 11 - Row Precharge Delay (tRP): 11 - Activate to Precharge Delay (tRAS): 35 Температура- Расширенная операционная температура (Tcase): 85 ° Электропитание- Напряжение питания: 1.5 В Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Тип поставки: Ret Цвет и материал- Цвет памяти: зеленый Размеры и вес- Высота: 3 см - Ширина: 6.76 см

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1600 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.35 в/ Код: KVR16LS11/4

Основные характеристики- Назначение: ноутбук - Объем модуля памяти: 4 Гб - Тип памяти: DDR3 - Частота памяти: 1333 МГц - Количество слотов памяти: 1 - Форм фактор поддерживаемой памяти: SO-DIMM - Пропускная способность: 10600 Мб/с Модуль- Конструкция модуля памяти: двусторонняя - Количество чипов модуля: 8 Тайминги- CAS Latency (CL): CL9 - RAS to CAS Delay (tRCD): 9 - Row Precharge Delay (tRP): 9 - Activate to Precharge Delay (tRAS): 36 Температура- Расширенная операционная температура (Tcase): 85 ° Электропитание- Напряжение питания: 1.5 В Подсветка- Цвет подсветки: нет Особенности конструкции- Тип поставки: OEM Цвет и материал- Цвет памяти: зеленый Размеры и вес- Высота: 3 см - Ширина: 6.76 см

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1600 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.5 в/ Код: KVR16N11S8/4

4 ГБ, DDR4, 1R, 2400 МГц, DIMM 288-pin, non-ECC Unbuffered, 17-17-17, 1.2 В

4 ГБ, DDR4, 1R, 2400 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 17-17-17, 1.2 В

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1600 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.35 в/ Код: KVR16LN11/4

Оперативная память SODIMM Kingston HyperX Impact [HX424S14IB/4] откроет для вас дополнительные функциональные и аппаратные возможности, необходимые для быстродействия игрового компьютера при запуске требовательных к ресурсам системы видеоигр. Комплект поставки предусматривает одну плашку ОЗУ с объемом оперативной памяти, равняющимся 4 ГБ.

Модель в автоматическом режиме разгоняется до заявленной частоты, соответствующей 2400 МГц, без необходимости системных настроек в BIOS. Модуль поддерживает платформы, использующие технологии процессоров Intel.

Высокая эффективность работы оперативной памяти SODIMM Kingston HyperX Impact [HX424S14IB/4] обеспечена таймингами 14-14-14-29. Характерной чертой представленной модели является низкое напряжение, равняющееся 1.

2 В. В процессе своего функционирования модуль оперативной памяти испускает минимум шума.

Конструкция модели предусматривает 16 чипов, установленных с обоих сторон плашки памяти. Пропускная способность представленного комплектующего элемента компьютера соответствует PC19200.

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1333 МГц/ Форм-фактор: DIMM/ Напряжение: 1.5 в/ Код: KVR13N9S8/4

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1333 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.5 в/ Код: KVR13S9S8/4